一、特点：ReRAM 多用于存算一体架构

  • 主要替代 NOR Flash 市场，解决 I/O 问题
  • 性能在 内存（DRAM）与 闪存（NAND Flash & NOR Flash）之间
  • 重点要考虑未来推理场景需求远高于训练场景需求

二、DRAM、ReRAM、NAND Flash的差异

特性DRAM（动态随机存取存储器）ReRAM（电阻式随机存取存储器）NAND Flash（闪存）
存储介质利用电容存储数据利用电阻变化存储数据浮栅或电荷陷阱技术存储数据
速度较快，但需周期性刷新接近静态RAM速度较慢
耐用性耐久性较低耐久性高，写入次数多耐久性较高，但有限
功耗需要周期性刷新，功耗较高低功耗，适合移动设备低功耗，适合移动设备
数据保持断电后数据丢失断电后数据不丢失断电后数据不丢失
成本制造成本相对较高制造成本相对较低制造成本适中
应用场景常用于系统内存适合非易失性存储常用于存储卡、SSD等
数据访问随机访问速度快随机访问速度快随机访问速度慢，适合顺序读写

三、NOR Flash 与 NAND Flash 的差异

特性NOR FlashNAND Flash
存储单元每个存储单元对应一个地址，可以随机访问存储单元以页为单位组织，需要先读取到缓存再进行随机访问
读取速度较快，支持随机读取较慢，通常需要先读取到缓存再进行随机访问
写入速度较慢，需要先擦除再写入较快，支持页级别的写入，但需要块级别的擦除
擦除单位单个字节或块块（通常是几个KB到几个MB）
耐用性擦写次数较少，通常在10万次左右擦写次数较多，通常在100万次以上
成本单位存储成本较高单位存储成本较低，适合大容量存储
功耗较低，适合低功耗应用较高，尤其是在写入和擦除操作时
数据保持断电后数据不丢失断电后数据不丢失
应用场景常用于存储固件和代码，如BIOS、嵌入式系统常用于大容量数据存储，如SSD、USB闪存驱动器
接口类型通常使用简单的并行接口通常使用复杂的串行接口，如SPI或eMMC
可靠性位翻转现象较少，适合存储关键性程序位翻转现象较多，需要纠错码(ECC)
软件支持无需额外软件支持即可运行代码需要驱动程序支持，如MTD

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